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IPD053N06N KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPD053N06N product

IPD053N06N

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal60VLeistungstransistor

Der IPD053N06N ist ein leistungsstarker 60V N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon, der für effiziente Stromwandlung in Schaltnetzteilen und synchroner Gleichrichtung optimiert ist.

Ideal für

  • Schaltnetzteile (SMPS)
  • Synchrone Gleichrichtung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine extrem niedrige Gate-Ladung oder nicht standardisierte Gehäuse erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen und PCB-Layout für hohe Ströme.

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
45 A
RDS(on) max
5,3 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Netzteil

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPD053N06N laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen OptiMOS™ N-Kanal-Leistungstransistor mit einer Nennspannung von 60V und 45A, untergebracht in einem PG-TO252-3 (DPAK) Gehäuse.