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IPD068P03L3G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPD068P03L3G product

IPD068P03L3G

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET30V70ADPAK

Der IPD068P03L3G ist ein leistungsstarker P-Kanal-MOSFET von Infineon, der sich ideal für Power-Management-Aufgaben mit hohem Strombedarf und niedrigem Einschaltwiderstand eignet.

Ideal für

  • Power-Management
  • Hochstrom-Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Sehr platzkritische Designs, bei denen DPAK zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr-Anforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-70 A
RDS(on)
6,8 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Power-Management

Datenblatt

bb1f355281ac6aa6cb78d4443f6d558f_2304140030_Infineon-Technologies-IPD068P03L3G_C151546.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPD068P03L3G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Leistungs-MOSFET im DPAK-Gehäuse, der für 30V und 70A ausgelegt ist und für effizientes Power-Management entwickelt wurde.