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IPD082N10N3G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPD082N10N3G product

IPD082N10N3G

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VOptiMOS

Der IPD082N10N3G ist ein leistungsstarker 100V N-Kanal OptiMOS™ 3 Leistungs-MOSFET, der für effizientes Hochfrequenzschalten und synchrone Gleichrichtung optimiert ist.

Ideal für

  • Hochfrequenzschalten
  • Synchrone Gleichrichtung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ansteuerspannungen unter 4,5V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Leistungsfähigkeit der Gate-Ansteuerschaltung

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
80 A
RDS(on)
8,2 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

e7e440da342cf9fc5cda34df4c1dcbe3.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPD082N10N3G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET aus der OptiMOS™ 3-Serie von Infineon, der für niedrigen Einschaltwiderstand und hohe Effizienz bei hohen Frequenzen ausgelegt ist.