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IPD090N03L G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPD090N03L G product

IPD090N03L G

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal30VInfineon

Der IPD090N03L G ist ein 30V, 40A N-Kanal-Leistungs-MOSFET im D-PAK-Gehäuse, optimiert für effiziente DC/DC-Wandler und Schaltnetzteile.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Schaltnetzteile
  • Allgemeine Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Spannungen über 30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Integrität des Gate-Ansteuersignals

Wichtige Specs

Vds
30 V
Id
40 A
Rds(on)
9 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

3f2aa469c11ed675b150971c842750ef_Infineon(英飞凌)&IPD090N03L G.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPD090N03L G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen OptiMOS 3 N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon, der für hochfrequente Schaltanwendungen wie DC/DC-Wandler entwickelt wurde.