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IPD110N12N3 G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPD110N12N3 G product

IPD110N12N3 G

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal120VLeistungstransistor

Der IPD110N12N3 G ist ein leistungsstarker 120V N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für hochfrequentes Schalten und synchrone Gleichrichtung optimiert ist.

Ideal für

  • Synchrone Gleichrichtung
  • Hochfrequenzschalten

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Bauteile mit niedrigerem RDS(on) verfügbar sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhranforderungen
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
120 V
ID
75 A
RDS(on)
11 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

35896f82814b084e3591c39ceaeab42d.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPD110N12N3 G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen OptiMOS™ 3 N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon, der für 120V und 75A ausgelegt ist und für hocheffiziente Stromwandlungen entwickelt wurde.