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IPD180N10N3GATMA1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPD180N10N3GATMA1 product

IPD180N10N3GATMA1

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VLeistungstransistor

Der IPD180N10N3GATMA1 ist ein 100V N-Kanal-Leistungs-MOSFET im PG-TO252-3-Gehäuse, optimiert für hochfrequente Schaltanwendungen und synchrone Gleichrichtung.

Ideal für

  • Hochfrequenzschalten
  • Synchrone Gleichrichtung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die sehr niedrige Gate-Ansteuerspannungen unter 4,5V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Verlustleistungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
43 A
RDS(on)
18 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Stromwandlung

Datenblatt

26077.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPD180N10N3GATMA1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen OptiMOS™3 N-Kanal-Leistungstransistor für hocheffiziente Stromversorgungsanwendungen.