ProjektePreiseInsights

IPD200N15N3 G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPD200N15N3 G product

IPD200N15N3 G

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal150VOptiMOS

Der IPD200N15N3 G ist ein 150V, 50A N-Kanal-Leistungs-MOSFET aus der OptiMOS 3-Serie von Infineon, optimiert für hochfrequente Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Hochfrequenzschalten
  • Synchrongleichrichtung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit extrem niedriger Spannung oder sehr hohen Strömen über 50A

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
150 V
ID
50 A
RDS(on)
20 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Stromversorgung

Datenblatt

1912111437_Infineon-Technologies-IPD200N15N3-G_C386332.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPD200N15N3 G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für hocheffiziente Stromwandlungsanwendungen entwickelt wurde.