ProjektePreiseInsights

IPD25DP06NM-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPD25DP06NM-HXY product

IPD25DP06NM-HXY

MOSFETs

P-KanalMOSFET60VDPAK

Der IPD25DP06NM ist ein P-Kanal-MOSFET mit -60V im DPAK-Gehäuse, der für Schaltanwendungen wie Batterieschutz und Motorsteuerung optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschalter
  • Bürstenlose Motorsteuerung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die höhere Ströme oder einen niedrigeren RDS(ON) erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen im PCB-Layout.

Wichtige Specs

VDS
-60 V
ID
-10 A
RDS(ON)
125 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

MotorsteuerungEnergieverwaltung

Datenblatt

55acd444e3bb21df9d4521ef9bc0857e_2401231634_HXY-MOSFET-IPD25DP06NM-HXY_C20606266.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPD25DP06NM-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und für niedrigen RDS(ON) und geringe Gate-Ladung optimiert ist.