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IPD30N06S2L-23-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPD30N06S2L-23-HXY product

IPD30N06S2L-23-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal60VDPAK

Der IPD30N06S2L-23 ist ein 60V, 50A N-Kanal-MOSFET im DPAK-Gehäuse, optimiert für Schaltanwendungen und Batterieschutz.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit sehr niedrigen Gate-Ansteuerspannungen unter 4,5V
  • Hochfrequenzanwendungen, bei denen die Gate-Ladung kritisch ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
50 A
RDS(ON)
17 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

d56526f0d3016e67016e42def2cebb01_2403261739_HXY-MOSFET-IPD30N06S2L-23-HXY_C22366971.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPD30N06S2L-23-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für Schaltanwendungen mit einer Drain-Source-Spannung von 60V und einem Dauerstrom von 50A.