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IPD30N10S3L34-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPD30N10S3L34-HXY product

IPD30N10S3L34-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100V

Der IPD30N10S3L34 ist ein 100V N-Kanal-MOSFET im TO-252-2L-Gehäuse, optimiert für Anwendungen mit niedriger Gate-Ansteuerspannung.

Ideal für

  • Batteriemanagementsysteme
  • Allgemeines Schalten

Vermeiden, wenn

  • Hochfrequenzanwendungen mit extrem niedriger Gate-Ladung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
30 A
RDS(on)
48 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Stromversorgung

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPD30N10S3L34-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, ausgelegt für 100V und 30A.