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IPD320N20N3G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPD320N20N3G product

IPD320N20N3G

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal200VOptiMOS

Der IPD320N20N3 G ist ein 200V N-Kanal OptiMOS™3 Leistungs-MOSFET, optimiert für hochfrequentes Schalten und synchrone Gleichrichtung.

Ideal für

  • Hochfrequenz-Schaltanwendungen
  • Synchrone Gleichrichtung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit extrem niedrigen Spannungen oder Strömen weit über 34A

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr-Anforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Vds
200 V
Id
34 A
Rds(on)
32 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromwandlungIndustrie

Datenblatt

bc6c9460f8fbd284b9497c505220d142.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPD320N20N3G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal Leistungs-MOSFET aus der OptiMOS™3-Familie von Infineon, der für hocheffiziente Stromwandlungen entwickelt wurde.