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IPD40DP06NMATMA1-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPD40DP06NMATMA1-HXY product

IPD40DP06NMATMA1-HXY

FETs

P-KanalMOSFET60VTO-252

Der IPD40DP06NMATMA1 ist ein P-Kanal-MOSFET mit -60V und -10A im TO-252-2L-Gehäuse, optimiert für Schaltanwendungen und Batterieschutz.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschalter
  • Bürstenlose Motorsteuerung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die höhere Ströme oder geringere Widerstände erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Gate-Ansteuerung.

Wichtige Specs

VDS
-60 V
ID
-10 A
RDS(ON)
125 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungMotorsteuerung

Datenblatt

f877019ee936492a53694dfaf6401cb8_2401231634_HXY-MOSFET-IPD40DP06NMATMA1-HXY_C20606265.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPD40DP06NMATMA1-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Gate-Ladung ausgelegt ist.