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IPD600N25N3 G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPD600N25N3 G product

IPD600N25N3 G

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal250V

Der IPD600N25N3 G ist ein 250V N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon, optimiert für hochfrequentes Schalten und synchrone Gleichrichtung im PG-TO252-3-Gehäuse.

Ideal für

  • Hochfrequenzschalten
  • Synchrone Gleichrichtung

Vermeiden, wenn

    Vor der Verwendung prüfen

      Wichtige Specs

      Vdss
      250 V
      Id
      25 A
      Rds(on)
      60 mΩ

      Compliance & Umwelt

      RoHS
      Compliant
      REACH
      -
      MSL
      -
      ECCN
      -
      HTSUS
      -

      Anwendung

      Stromversorgung

      Datenblatt

      539055782e6677ea630d3f6b6214ce07_Infineon(英飞凌)&IPD600N25N3 G.pdf

      800 KB

      Datasheet AI

      CAD-Modelle

      ECAD-Modelle für IPD600N25N3 G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

      EDA-Symbol
      Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
      Dateien holen
      PCB-Footprint
      Landpattern für das PCB-Layout
      Dateien holen
      3D-Modell
      STEP-Datei für die Mechanik
      Dateien holen
      KiCad-Bibliothek
      Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
      Bibliothek erzeugen

      Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

      Alternative Bauteile

      Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

      Design- und Risiko-Insights

      Fragen & Antworten

      Es handelt sich um einen OptiMOS™3 N-Kanal-Leistungstransistor für hocheffiziente Stromwandleranwendungen.