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IPD60N10S4L12ATMA1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPD60N10S4L12ATMA1 product

IPD60N10S4L12ATMA1

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VAutomobil

Der IPD60N10S4L-12 ist ein leistungsstarker 100V N-Kanal-MOSFET für anspruchsvolle Automobil- und Industrieanwendungen.

Ideal für

  • Automobil-Stromversorgung
  • DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit sehr niedrigen Gate-Ansteuerspannungen unter 4,5V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
60 A
RDS(on)
12 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

AutomobilStromversorgung

Datenblatt

Infineon-company-51.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPD60N10S4L12ATMA1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein AEC-Q101 qualifizierter N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon, der speziell für den Einsatz in der Automobilindustrie entwickelt wurde.