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IPD60R180P7 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPD60R180P7 product

IPD60R180P7

MOSFETs - Single

CoolMOSSuperjunctionMOSFET650V

Der IPD60R180P7 ist ein 650V N-Kanal-Superjunction-MOSFET aus der CoolMOS P7-Serie von Infineon, optimiert für hohe Effizienz in Stromversorgungsanwendungen.

Ideal für

  • PFC-Stufen
  • LLC-Resonanzwandler
  • Netzteile mit hoher Leistungsdichte

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen ein niedrigerer RDS(on) oder andere Gehäusetypen erforderlich sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmewiderstand und PCB-Layout zur Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDS
650 V
RDS(on)
180 mOhm
ID
18 A

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileIndustrie

Datenblatt

d1358c64c4309af28b60d91ea1fa5b35_2304140030_Infineon-Technologies-IPD60R180P7_C467010.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPD60R180P7 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 650V, 18A N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der die 7. Generation der CoolMOS-Superjunction-Technologie von Infineon nutzt und im DPAK (PG-TO252-3) Gehäuse geliefert wird.