IPD60R180P7S Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | Infineon | PartGenie

KI-Zusammenfassung

IPD60R180P7S product

Der IPD60R180P7S ist ein hocheffizienter 600V N-Kanal-Superjunction-MOSFET aus der CoolMOS P7-Serie von Infineon, ideal für Stromversorgungsanwendungen.

Ideal für

PFC-Stufen
LLC-Resonanzwandler
Netzteile

Vermeiden, wenn

Anwendungen, die eine extrem niedrige Gate-Ladung erfordern

Vor der Verwendung prüfen

Thermische Auslegung auf der Leiterplatte
Integrität des Gate-Ansteuersignals

Wichtige Specs

VDS: 650 V
RDS(on): 180 mOhm
ID (Impuls): 53 A

Compliance & Umwelt

RoHS: Compliant
REACH: -
MSL: 3
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

NetzteileIndustrie

Datenblatt

f5dfd6b21b062292c21146ea3d4b4b16.pdf

800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPD60R180P7S laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 600V N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Superjunction-Technologie, der für hohe Effizienz in Netzteilen entwickelt wurde.