ProjektePreiseInsights

IPD60R1K4C6ATMA1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPD60R1K4C6ATMA1 product

IPD60R1K4C6ATMA1

MOSFETs - Single

MOSFETCoolMOS600VInfineon

Der IPD60R1K4C6ATMA1 ist ein 600V N-Kanal CoolMOS C6 Leistungs-MOSFET von Infineon, der für hocheffiziente Stromversorgungsanwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • PFC-Stufen
  • Netzteile
  • Server-Stromversorgungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen kontinuierlichen Strom von mehr als 3,2A erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Vds
600 V
Id
3,2 A
Rds(on)
1,4 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

Infineon-company-51.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPD60R1K4C6ATMA1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 600V N-Kanal Leistungs-MOSFET, der auf der Superjunction CoolMOS C6 Technologie von Infineon basiert und für effizientes Schalten optimiert ist.