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IPD60R600P7S E8228 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPD60R600P7S E8228 product

IPD60R600P7S E8228

MOSFETs - Single

MOSFETCoolMOS600VSuperjunction

Der IPD60R600P7S ist ein 600V N-Kanal-Superjunction-MOSFET im DPAK-Gehäuse, der für hohe Effizienz in PFC- und LLC-Stufen optimiert ist.

Ideal für

  • PFC-Stufen
  • LLC-Resonanzwandler
  • Kompakte Netzteile

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen kontinuierlichen Strom von mehr als 6A erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungskapazität der Leiterplatte
  • Integrität des Gate-Ansteuersignals

Wichtige Specs

VDS(max)
650 V
RDS(on)
600 mOhm
ID(cont)
6 A

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
3
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

d651495c28141e4a259328eb5f2c78db_Infineon(英飞凌)&IPD60R600P7S E8228.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPD60R600P7S E8228 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 600V CoolMOS P7 Power-MOSFET von Infineon, der Superjunction-Technologie für hohe Effizienz und geringe Schaltverluste nutzt.