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IPD60R600P7S KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPD60R600P7S product

IPD60R600P7S

MOSFETs - Single

CoolMOSLeistungs-MOSFET600VN-Kanal

Der IPD60R600P7S ist ein hocheffizienter 600V N-Kanal CoolMOS P7 MOSFET im DPAK-Gehäuse, optimiert für Stromversorgungsanwendungen wie PFC- und LLC-Stufen.

Ideal für

  • PFC-Stufen
  • LLC-Resonanzwandler
  • Netzteile

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen höheren Dauerstrom als 6A erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung auf der Leiterplatte
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Vds
600 V
Id
6 A
Rds(on)
600 mΩ
Qg
9 nC

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
3
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungenIndustrie

Datenblatt

pYYBAGNUmACAHMokAA5DRc58I50920.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPD60R600P7S laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 600V CoolMOS P7 Leistungs-MOSFET der 7. Generation von Infineon, der für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde.