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IPD65R400CE KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPD65R400CE product

IPD65R400CE

MOSFETs - Single

MOSFETSuperjunction650VLeistungstransistor

Der IPD65R400CE ist ein hocheffizienter 650V N-Kanal-Superjunction-MOSFET im DPAK-Gehäuse, optimiert für Stromversorgungsanwendungen.

Ideal für

  • Netzteile
  • Adapter
  • LED-Beleuchtung

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungs-Batterieanwendungen
  • Designs ohne thermische Entlastung

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannung
  • Thermische Auslegung

Wichtige Specs

Vds
650 V
Id
15,1 A
Rds(on)
400 mΩ
Qg
39 nC

Compliance & Umwelt

RoHS
Yes
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrie

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPD65R400CE laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 650V CoolMOS CE-Leistungstransistor von Infineon, der Superjunction-Technologie für effizientes Schalten nutzt.