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IPD65R650CE KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPD65R650CE product

IPD65R650CE

MOSFETs - Single

MOSFETSuperjunction650VCoolMOS

Der IPD65R650CE ist ein 650V N-Kanal-Superjunction-MOSFET, der für kosteneffiziente Stromversorgungsanwendungen optimiert wurde.

Ideal für

  • PFC-Stufen
  • Stromversorgungen für Unterhaltungselektronik
  • Beleuchtungstreiber

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen extrem niedrigen RDS(on) oder sehr hohe Strombelastbarkeit erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungskapazität des DPAK-Footprints

Wichtige Specs

VDS
650 V
ID
10,1 A
RDS(on)
650 mOhm

Compliance & Umwelt

RoHS
Yes
REACH
-
MSL
MSL3
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungenBeleuchtung

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPD65R650CE laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 650V CoolMOS CE-Leistungstransistor von Infineon, der Superjunction-Technologie für hohe Effizienz bei wettbewerbsfähigen Kosten nutzt.