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IPD70R360P7S KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPD70R360P7S product

IPD70R360P7S

MOSFETs - Single

Superjunction700VMOSFETInfineonCoolMOS

Der IPD70R360P7S ist ein 700V N-Kanal-Superjunction-MOSFET, der für hocheffiziente, kostensensitive Flyback-Netzteile optimiert ist.

Ideal für

  • Flyback-Netzteile
  • Ladegeräte und Adapter
  • LED-Beleuchtung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen kontinuierlichen Strom von mehr als 7,5A bei 100°C erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung auf der Leiterplatte
  • Integrität des Gate-Ansteuersignals

Wichtige Specs

VDS
700 V
RDS(on)
0,36 Ohm
ID
7,5 A
Qg
16,4 nC

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
MSL 3
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileUnterhaltungselektronik

Datenblatt

9341d430c2b6f7c7a0d191896d466beb.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPD70R360P7S laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 700V CoolMOS P7 Leistungstransistor von Infineon, der Superjunction-Technologie nutzt, um hohe Effizienz und geringe Schaltverluste in einem DPAK-Gehäuse zu bieten.