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IPD70R600P7S KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPD70R600P7S product

IPD70R600P7S

MOSFETs - Single

MOSFETSuperjunction700VInfineon

Der IPD70R600P7S ist ein 700V N-Kanal-Superjunction-MOSFET, der für hocheffiziente, kostensensitive Stromversorgungsanwendungen wie Ladegeräte und Adapter optimiert ist.

Ideal für

  • Flyback-Netzteile
  • Ladegeräte
  • Adapter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine sehr hohe Strombelastbarkeit über 8,5A erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung auf der Leiterplatte
  • Gate-Treiber-Impedanz

Wichtige Specs

Vds
700 V
Rds(on)
0,6 Ohm
Id
8,5 A

Compliance & Umwelt

RoHS
Yes
REACH
-
MSL
3
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileUnterhaltungselektronik

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPD70R600P7S laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 700V CoolMOS P7 Leistungstransistor im DPAK-Gehäuse, der für hocheffiziente Netzteile entwickelt wurde.