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IPD80P03P4L-07-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPD80P03P4L-07-HXY product

IPD80P03P4L-07-HXY

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET30V70A

Der IPD80P03P4L-07 ist ein leistungsstarker P-Kanal-MOSFET für Stromschaltanwendungen.

Ideal für

  • Batteriemanagementsysteme
  • Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Hochfrequenzschaltung außerhalb der Spezifikationen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-70 A
RDS(on)
8 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementIndustrie

Datenblatt

9d52120568ecb5264fd458ae9bc42c31_2403261738_HXY-MOSFET-IPD80P03P4L-07-HXY_C22366833.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPD80P03P4L-07-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, ausgelegt für -30V und -70A.