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IPD80R2K0P7ATMA1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPD80R2K0P7ATMA1 product

IPD80R2K0P7ATMA1

MOSFETs - Single

800VCoolMOSMOSFETInfineon

Der IPD80R2K0P7 ist ein 800V N-Kanal-Superjunction-MOSFET, der für hocheffiziente Flyback-Anwendungen mit geringer Leistung optimiert ist.

Ideal für

  • Ladegeräte
  • Adapter
  • LED-Beleuchtung

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 3A

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannung
  • Wärmeableitung auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS
800 V
RDS(on)
2.0 Ohm
ID
3 A

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

Infineon-company-51.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPD80R2K0P7ATMA1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 800V-Leistungs-MOSFET aus der CoolMOS P7-Serie, der für effiziente Stromwandlungen in kompakten Designs entwickelt wurde.