IPD80R2K4P7 Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | Infineon | PartGenie

KI-Zusammenfassung

IPD80R2K4P7 product

Der IPD80R2K4P7 ist ein 800V N-Kanal-Leistungs-MOSFET aus der CoolMOS P7-Serie, optimiert für hocheffiziente Flyback-Anwendungen.

Ideal für

Flyback-Wandler
LED-Treiber
Hilfsnetzteile

Vermeiden, wenn

Anwendungen, die Ströme deutlich über 2,5A erfordern

Vor der Verwendung prüfen

Wärmeableitung auf der Leiterplatte
Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS: 800 V
RDS(on): 2,4 Ohm
ID: 2,5 A
Qg: 8 nC

Compliance & Umwelt

RoHS: Compliant
REACH: -
MSL: 1
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

NetzteilIndustrie

Datenblatt

6c63ae37d8c0efcd4d04761fd483be6a_datasheet.pdf

800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPD80R2K4P7 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 800V Superjunction-Leistungs-MOSFET im DPAK-Gehäuse aus der CoolMOS P7-Serie von Infineon.