ProjektePreiseInsights

IPD80R600P7 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPD80R600P7 product

IPD80R600P7

MOSFETs - Single

800VCoolMOSSuperjunctionMOSFETDPAK

Der IPD80R600P7 ist ein 800V N-Kanal-Superjunction-MOSFET aus der CoolMOS P7-Serie von Infineon, der für hohe Effizienz in Flyback-Netzteilen optimiert ist.

Ideal für

  • Flyback-Netzteile
  • LED-Treiber
  • Stromversorgungsstufen in Unterhaltungselektronik

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen Dauerstrom von >8A erfordern
  • Designs, die zwingend ein bedrahtetes Gehäuse erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung auf der Leiterplatte
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
800 V
RDS(on)
0,60 Ohm
ID
8 A
Qg
20 nC

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteilLED-Beleuchtung

Datenblatt

a248e540157215b8d351d0d7c88a4cd4_2005292110_Infineon-Technologies-IPD80R600P7_C536890.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPD80R600P7 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 800V N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der die CoolMOS P7-Superjunction-Technologie von Infineon nutzt und für hocheffiziente Stromwandlungen entwickelt wurde.