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IPD90P03P4L-04-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPD90P03P4L-04-HXY product

IPD90P03P4L-04-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETP-Kanal30V120A

Der IPD90P03P4L-04 ist ein P-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET, der für Hochstrom-Schaltanwendungen und Batterieschutz optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Hochstrom-Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

VDSS
-30 V
ID
-120 A
RDS(ON)
4.5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

e18f9091151828e9836258a9717447cc_2401231634_HXY-MOSFET-IPD90P03P4L-04-HXY_C20606270.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPD90P03P4L-04-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-MOSFET mit Trench-Technologie, der für niedrigen Einschaltwiderstand und effizientes Schalten ausgelegt ist.