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IPG16N10S4-61 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPG16N10S4-61 product

IPG16N10S4-61

MOSFETs - Arrays

AutomotiveMOSFETDual-Kanal

Der IPG16N10S4-61 ist ein dualer N-Kanal OptiMOS™-T2 Leistungs-MOSFET für Automotive-Anwendungen mit 100V Drain-Source-Spannung und 16A Strombelastbarkeit.

Ideal für

  • Automotive-Leistungsschalter
  • Duale Motorsteuerung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen extrem niedrigen RDS(on) unter 50mΩ erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Belastungsgrenzen auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
16 A
RDS(on)
61 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

AutomotiveEnergieverwaltung

Datenblatt

e5e5d232eecda47731a57ae4eef0bd9e_Infineon(英飞凌)&IPG16N10S4-61.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPG16N10S4-61 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein dualer N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon, der für den Automotive-Einsatz AEC Q101-qualifiziert ist.