IPG20N06S2L-35 Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | Infineon Technologies | PartGenie

KI-Zusammenfassung

IPG20N06S2L-35 product

Der IPG20N06S2L-35 ist ein dualer N-Kanal-OptiMOS-Leistungs-MOSFET, AEC-Q101-qualifiziert für Automobilanwendungen, mit 55V VDS und 20A Strombelastbarkeit.

Ideal für

Automobil-Stromversorgungssysteme
DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

Anwendungen, die eine höhere Durchbruchspannung als 55V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

Wärmewiderstand auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS: 55 V
ID: 20 A
RDS(on): 35 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: RoHS Compliant
REACH: -
MSL: 1
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

AutomobilEnergieverwaltung

Datenblatt

poYBAGNXnxGAXP8jAAKI9QqCxE8067.pdf

800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPG20N06S2L-35 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon, der für Automobil- und Energieverwaltungsanwendungen entwickelt wurde.