IPG20N06S4L-26-HXY Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | HXY MOSFET | PartGenie

KI-Zusammenfassung

IPG20N06S4L-26-HXY product

Der IPG20N06S4L-26 ist ein dualer N-Kanal SGT-MOSFET, der für hocheffiziente Schaltanwendungen bei 60V optimiert ist.

Ideal für

Synchrongleichrichtung
Isolierte DC-DC-Wandler
Motorsteuerung

Vermeiden, wenn

Anwendungen, die Spannungsfestigkeiten deutlich über 60V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

Thermische Auslegung und Leiterplattenlayout zur Wärmeableitung

Wichtige Specs

Vdss: 60 V
Id: 35 A
Rds(on): 14 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: -
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

StromversorgungMotorsteuerung

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPG20N06S4L-26-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal SGT-MOSFET im DFN5X6B-8L-Gehäuse, der für 60V und 35A ausgelegt ist.