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IPG20N10S4L35ATMA1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPG20N10S4L35ATMA1 product

IPG20N10S4L35ATMA1

MOSFETs - Arrays

AutomobilMOSFETZweikanal

Der IPG20N10S4L35ATMA1 ist ein dualer N-Kanal OptiMOS™-T2 Leistungs-MOSFET, der für Automobilanwendungen optimiert ist und eine Durchbruchspannung von 100V sowie einen Strom von 20A im kompakten PG-TDSON-8-4 Gehäuse bietet.

Ideal für

  • Automobil-Stromversorgungssysteme
  • Zweikanal-Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen Dauerstrom von mehr als 20A pro Kanal erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

Vds
100 V
Id
20 A
Rds(on)
35 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

AutomobilEnergieverwaltung

Datenblatt

Infineon-company-51.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPG20N10S4L35ATMA1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET für den Automobilbereich, der sich durch hohe Effizienz und eine thermische Belastbarkeit bis 175°C auszeichnet.