ProjektePreiseInsights

IPN50R2K0CEATMA1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPN50R2K0CEATMA1 product

IPN50R2K0CEATMA1

MOSFETs - Single

MOSFETSuperjunction550VInfineon

Der IPN50R2K0CE ist ein 550V N-Kanal Superjunction-MOSFET, der für kostensensitive Leistungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Netzteile
  • Ladegeräte
  • Beleuchtung

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 3,6A

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmewiderstand auf Ihrer spezifischen Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS
550 V
ID
3,6 A
RDS(on)
2 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
MSL 3
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileBeleuchtung

Datenblatt

Infineon-company-51.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPN50R2K0CEATMA1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 550V CoolMOS CE Leistungstransistor von Infineon, der Superjunction-Technologie nutzt, um Leistung und Kosten zu optimieren.