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IPN60R1K5CEATMA1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPN60R1K5CEATMA1 product

IPN60R1K5CEATMA1

MOSFETs - Single

MOSFETSuperjunction600VInfineon

Der IPN60R1K5CE ist ein 600V N-Kanal-Superjunction-MOSFET im PG-SOT223-Gehäuse, optimiert für kostensensitive Anwendungen in der Unterhaltungselektronik und Beleuchtung.

Ideal für

  • Netzteile für Unterhaltungselektronik
  • LED-Beleuchtungstreiber

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungs-Industrieanwendungen, die größere Gehäuse erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

Vds
600 V
Rds(on)
1.5 Ohm
Id
3.2 A

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
MSL3
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileBeleuchtung

Datenblatt

Infineon-company-51.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPN60R1K5CEATMA1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 600V CoolMOS CE Leistungstransistor von Infineon, der Superjunction-Technologie für hohe Effizienz bei geringen Kosten nutzt.