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IPN60R1K5PFD7SATMA1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPN60R1K5PFD7SATMA1 product

IPN60R1K5PFD7SATMA1

MOSFETs - Single

MOSFETSuperjunction600VInfineon

Der IPN60R1K5PFD7S ist ein 600V Superjunction-MOSFET, der für hocheffiziente und kostensensitive Stromversorgungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Ladegeräte
  • Adapter
  • Beleuchtung
  • Motorantriebe

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen hohen Dauerstrom erfordern, der die thermische Kapazität des SOT223 übersteigt.

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung auf der Leiterplatte
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
650 V
RDS(on)
1500 mOhm
Qg
4,6 nC
Gehäuse
PG-SOT223

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileUnterhaltungselektronik

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPN60R1K5PFD7SATMA1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 600V CoolMOS PFD7 Superjunction-MOSFET von Infineon, der für hohe Leistungsdichte und Effizienz in der Unterhaltungselektronik entwickelt wurde.