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IPN60R600P7S KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPN60R600P7S product

IPN60R600P7S

MOSFETs - Single

MOSFETCoolMOSInfineon600V

Der IPN60R600P7S ist ein 600V CoolMOS P7 N-Kanal-Leistungs-MOSFET im SOT-223-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Stromwandlung in PFC- und LLC-Stufen.

Ideal für

  • PFC-Stufen
  • LLC-Resonanzwandler
  • Kompakte Netzteile

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen sehr hohen Dauerstrom von mehr als 4A erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung auf der Leiterplatte
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
650 V
RDS(on)
600 mOhm
ID
4 A

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS
REACH
-
MSL
1
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteilIndustrie

Datenblatt

09c85dd87003a3191d25c4c24d42a4ac_1808281633_Infineon-Technologies-IPN60R600P7S_C152668.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPN60R600P7S laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 600V Superjunction-Leistungs-MOSFET aus der CoolMOS P7-Serie von Infineon, der für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde.