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IPN70R1K4P7S KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPN70R1K4P7S product

IPN70R1K4P7S

MOSFETs - Single

MOSFETCoolMOSInfineon700V

Der IPN70R1K4P7S ist ein 700V N-Kanal-Superjunction-MOSFET, der für hocheffiziente, kostensensitive Anwendungen wie Flyback-Wandler optimiert ist.

Ideal für

  • Ladegeräte
  • Adapter
  • LED-Beleuchtung

Vermeiden, wenn

  • Industrielle Hochstrom-Netzteile, die größere Gehäuse erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Anbindung auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

Vds
700 V
Rds(on)
1,4 Ohm
Id
2,5 A

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Netzteile

Datenblatt

f0479b208d70ea453631968cc426ff73_1808281651_Infineon-Technologies-IPN70R1K4P7S_C152684.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPN70R1K4P7S laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 700V CoolMOS P7 Leistungstransistor von Infineon, der für Hochspannungsschaltanwendungen entwickelt wurde.