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IPN70R600P7SATMA1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPN70R600P7SATMA1 product

IPN70R600P7SATMA1

MOSFETs - Single

MOSFETCoolMOS700VInfineon

Der IPN70R600P7S ist ein 700V N-Kanal-Superjunction-MOSFET von Infineon, der für hocheffiziente, kostensensitive Stromversorgungsanwendungen wie Ladegeräte und Adapter optimiert ist.

Ideal für

  • Flyback-Netzteile
  • Ladegeräte für Unterhaltungselektronik
  • Beleuchtungstreiber

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die sehr hohe Ströme über 8,5A erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmewiderstand auf Ihrem spezifischen PCB-Layout

Wichtige Specs

VDS
700 V
RDS(on)
0.6 Ohm
ID
8.5 A

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

Infineon-company-51.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPN70R600P7SATMA1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 700V CoolMOS P7 Leistungstransistor, der für hocheffizientes Schalten in der Unterhaltungselektronik entwickelt wurde.