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IPN70R900P7S KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPN70R900P7S product

IPN70R900P7S

MOSFETs - Single

MOSFETCoolMOS700VInfineon

Der IPN70R900P7S ist ein 700V N-Kanal CoolMOS P7 MOSFET im SOT-223 Gehäuse, optimiert für hocheffiziente, kostensensitive Stromversorgungen.

Ideal für

  • Flyback-Wandler
  • Ladegeräte
  • Netzteile

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Strömen über 3,5A

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

Vds
700 V
Id
3,5 A
Rds(on)
0,9 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Stromversorgungen

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPN70R900P7S laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein 700V Superjunction-Leistungs-MOSFET von Infineon aus der CoolMOS P7-Serie, konzipiert für hohe Leistungsdichte.