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IPN80R4K5P7ATMA1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPN80R4K5P7ATMA1 product

IPN80R4K5P7ATMA1

MOSFETs - Single

MOSFET800VCoolMOSInfineon

Der IPN80R4K5P7 ist ein 800V N-Kanal-Superjunction-MOSFET im PG-SOT223-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Flyback-Netzteile.

Ideal für

  • Flyback-Wandler
  • Ladegeräte
  • LED-Beleuchtung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Strömen über 1,5A

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmewiderstand auf Ihrem spezifischen PCB-Footprint

Wichtige Specs

VDS
800 V
ID
1,5 A
RDS(on)
4,5 Ohm
Qg
4 nC

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileIndustrie

Datenblatt

Infineon-company-51.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPN80R4K5P7ATMA1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Leistungstransistor der CoolMOS P7-Serie für 800V, der für hocheffiziente Anwendungen mit geringer Leistung wie Ladegeräte und LED-Beleuchtung entwickelt wurde.