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IPN80R900P7ATMA1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPN80R900P7ATMA1 product

IPN80R900P7ATMA1

MOSFETs - Single

MOSFETCoolMOS800VInfineon

Der IPN80R900P7 ist ein 800V N-Kanal CoolMOS P7 Leistungstransistor im SOT-223 Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Flyback-Anwendungen.

Ideal für

  • Flyback-Wandler
  • LED-Treiber
  • Hilfsnetzteile

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Strömen über 6A
  • Designs, die eine extreme thermische Leistung außerhalb der SOT-223-Fähigkeiten erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Wärmewiderstand auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS
800 V
RDS(on)
0.90 Ohm
ID
6 A
Qg
15 nC

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
MSL 1
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteilIndustrie

Datenblatt

Infineon-company-51.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPN80R900P7ATMA1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 800V Superjunction-MOSFET aus der CoolMOS P7-Serie von Infineon, der auf einfache Handhabung und hohe Leistungsdichte ausgelegt ist.