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IPP015N04NGXKSA1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPP015N04NGXKSA1 product

IPP015N04NGXKSA1

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal40VOptiMOS

Der IPP015N04N G ist ein leistungsstarker 40V N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für effiziente Stromwandlungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Schaltnetzteile

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringer Leistung, bei denen die Gate-Ladung ineffizient ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Anforderungen

Wichtige Specs

VDS
40 V
ID
120 A
RDS(on)
1,5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Stromwandlung

Datenblatt

poYBAGLkxkCARvUdAAqGMNzcsIM385.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPP015N04NGXKSA1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET aus der OptiMOS™3-Serie von Infineon, der für hochfrequentes Schalten und DC/DC-Wandler optimiert ist.