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IPP052N06L3 G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPP052N06L3 G product

IPP052N06L3 G

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal60VOptiMOS

Der IPP052N06L3 G ist ein 60V, 80A N-Kanal OptiMOS 3 Leistungs-MOSFET im TO-220 Gehäuse, optimiert für effiziente DC/DC-Wandler.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Synchrongleichrichtung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die SMD-Montage erfordern (verwenden Sie IPB049N06L3 G)

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
80 A
RDS(on)
4,7 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Stromversorgung

Datenblatt

2bcd729203008790250e39dbc9142caa_Infineon(英飞凌)&IPP052N06L3 G.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPP052N06L3 G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein N-Kanal Leistungs-MOSFET aus der OptiMOS 3 Serie von Infineon, speziell für DC/DC-Wandler und Hochfrequenzanwendungen.