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IPP082N10NF2S KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPP082N10NF2S product

IPP082N10NF2S

MOSFETs - Single

N-Kanal100VLeistungs-MOSFETStrongIRFET

Der IPP082N10NF2S ist ein leistungsstarker 100V N-Kanal-MOSFET für anspruchsvolle Leistungsanwendungen.

Ideal für

  • Netzteile
  • Motorsteuerung
  • Industrielle Anwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit niedriger Logikpegel-Spannung ohne geeignete Gate-Treiber

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
77 A
RDS(on)
8,2 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

3ad4ca38c7c3666454f8f9833174afa6_2209081730_Infineon-Technologies-IPP082N10NF2S_C2974322.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPP082N10NF2S laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen StrongIRFET™ 2 N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon, ausgelegt für 100V und 77A.