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IPP084N06L3 G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPP084N06L3 G product

IPP084N06L3 G

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal60VOptiMOS

Der IPP084N06L3 G ist ein 60V, 50A N-Kanal-Leistungs-MOSFET aus der OptiMOS™3-Serie von Infineon, optimiert für hochfrequente DC/DC-Wandler.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Hochfrequenz-Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Durchbruchspannung von mehr als 60V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
50 A
RDS(on)
8,4 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Stromversorgung

Datenblatt

IPP_B084N06L3_Rev2.21.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPP084N06L3 G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Logikpegel, der für hochfrequente Schaltanwendungen und DC/DC-Wandler entwickelt wurde.