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IPP086N10N3 G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPP086N10N3 G product

IPP086N10N3 G

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VLeistungstransistor

Der IPP086N10N3 G ist ein leistungsstarker 100V N-Kanal-Leistungs-MOSFET aus der OptiMOS™ 3-Serie von Infineon, optimiert für hochfrequente Schaltanwendungen.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Synchrongleichrichtung
  • Hochfrequenzschalten

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen mit Bedarf an noch niedrigerem RDS(on)
  • Anwendungen, die kleinere Gehäuse als TO-220 erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
80 A
RDS(on)
8.2 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Stromversorgung

Datenblatt

IPP086N10N3+G_Rev2.2.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPP086N10N3 G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für hocheffiziente Stromwandlung mit 100V Sperrspannung und 80A Strombelastbarkeit.