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IPP110N20N3GXKSA1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPP110N20N3GXKSA1 product

IPP110N20N3GXKSA1

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal200VOptiMOS

Der IPP110N20N3 G ist ein leistungsstarker 200V N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon, optimiert für hochfrequentes Schalten und synchrone Gleichrichtung.

Ideal für

  • Synchrone Gleichrichtung
  • Hochfrequenz-DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine SMD-Montage erfordern (verwenden Sie stattdessen den IPB107N20N3 G)

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Gate-Ansteuerschaltung

Wichtige Specs

Vds
200 V
Id
88 A
Rds(on)
11 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Stromwandlung

Datenblatt

IPP_I_110N20N3+G_IPB107N20N3+G+Rev2.2_pdf.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPP110N20N3GXKSA1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen OptiMOS 3 N-Kanal-Leistungstransistor, der für hocheffiziente Stromwandlungsanwendungen entwickelt wurde.