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IPP200N15N3G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPP200N15N3G product

IPP200N15N3G

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal150VLeistungstransistor

Der IPP200N15N3G ist ein leistungsstarker 150V N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon, optimiert für hochfrequente Schaltanwendungen und synchrone Gleichrichtung.

Ideal für

  • Synchrone Gleichrichtung
  • Hochfrequenz-Schaltnetzteile

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ansteuerspannungen unter 5V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr bei hohen Strömen

Wichtige Specs

VDS
150 V
ID
50 A
RDS(on)
20 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Stromversorgung

Datenblatt

pYYBAGHDMoGAfr38AA-GU1zxHc8828.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPP200N15N3G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen OptiMOS 3 N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für hocheffiziente Stromwandleranwendungen entwickelt wurde.