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IPP60R180C7XKSA1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPP60R180C7XKSA1 product

IPP60R180C7XKSA1

MOSFETs - Single

MOSFETCoolMOSInfineonLeistungstransistor

Der IPP60R180C7 ist ein hocheffizienter 600V N-Kanal-Leistungs-MOSFET aus der CoolMOS™ C7-Serie von Infineon, optimiert für leistungsstarke Stromversorgungen.

Ideal für

  • Server-Netzteile
  • Telekommunikationsinfrastruktur
  • Solar-Wechselrichter
  • Hochleistungs-PFC/LLC-Stufen

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen ein niedrigerer RDS(on) oder andere Gehäusetypen erforderlich sind.

Vor der Verwendung prüfen

  • Layout der Gate-Ansteuerschaltung zur Minimierung parasitärer Induktivitäten.

Wichtige Specs

VDS
600 V
RDS(on)
180 mΩ
ID
13 A

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

Infineon-company-51.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPP60R180C7XKSA1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 600V Superjunction-Leistungs-MOSFET, der für hocheffiziente Netzteile, einschließlich PFC- und LLC-Stufen, entwickelt wurde.