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IPP60R190C6 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPP60R190C6 product

IPP60R190C6

MOSFETs - Single

MOSFETCoolMOSInfineon600V

Der IPP60R190C6 ist ein leistungsstarker 600V N-Kanal-Superjunction-MOSFET, der für hocheffiziente Stromwandlungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • PFC-Stufen
  • Resonante PWM-Schaltstufen

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen ein niedrigerer Rds(on) oder andere Gehäusetypen erforderlich sind.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen und Design der Gate-Ansteuerschaltung.

Wichtige Specs

Vds
600 V
Id
20,2 A
Rds(on)
0,19 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
Yes
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

e85495e49e2f7ec6588efc70d92056e5.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPP60R190C6 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 600V CoolMOS C6 Leistungs-MOSFET von Infineon, der für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde.